Loi de Moore, prédiction produite par l’ingénieur américain Gordon Moore en 1965 selon laquelle le nombre de transistors pour chaque puce de silicium augmente chaque année. Pour un problème unique de la revue Electronic Devices, il a été demandé à Moore de prédire les progrès de la prochaine décennie. Constatant que le nombre complet de composants au cours de ces circuits avait à peu près plus que doublé chaque année, il extrapolait allègrement ce doublement annuel à dix ans supplémentaires, estimant que les microcircuits de 1975 contiendraient un nombre incroyable de 65000 éléments par entaille. En 1975, alors que le taux de croissance commençait à ralentir, Moore a modifié sa période à deux ans. Sa législation révisée était un peu pessimiste; sur environ un demi-siècle à partir de 1961, seo le nombre de transistors a doublé environ tous les dix-huit mois. Par la suite, les magazines se sont régulièrement référés à la loi de Moore comme si elle était inexorable – une législation technique avec l’assurance des règles de mouvement de Newton. Ce qui a créé cette explosion dramatique de complexité de circuit réalisable, ce sont les dimensions continuellement réduites des transistors au fil des décennies. Calculée en millimètres dans les années 1940 retardées, la taille d’un transistor moyen au début des années 2010 était plus couramment exprimée en dizaines de nanomètres (un nanomètre étant un milliardième de mètre) – un facteur de diminution de plus de 100000. Les fonctions de transistor calculant sous un micron (un micromètre, ou un millionième de mètre) ont été réalisées dans les années 1980, lorsque de puissantes chips DRAM (Unique-Access Recollection) ont commencé à fournir des capacités de stockage de mégaoctets. À l’aube du 21e siècle, ces fonctionnalités ont traité 0,1 micron de diamètre, ce qui a permis la création de puces de mémoire et de microprocesseurs de gigaoctets fonctionnant à des fréquences gigahertz. La loi de Moore en cours dans la deuxième décennie du XXIe siècle avec l’introduction de transistors tridimensionnels qui mesuraient des dizaines de nanomètres. Mémoire RAM, mémoire entièrement à accès aléatoire, mémoire primaire informatique où des contenus particuliers peuvent être consultés (lus ou écrits) immédiatement à partir de l’unité centrale dans un temps très court quelle que soit la série (et donc la zone) dans laquelle ils ont été documentés. Deux types de souvenirs sont possibles avec des circuits à accessibilité unique, une mémoire RAM statique (SRAM) et une mémoire RAM puissante (DRAM). Un seul pseudo de souvenir est composé d’un certain nombre de millions de cellules de souvenir. À l’intérieur d’une puce SRAM, chaque cellule de souvenir stocke un chiffre binaire (1 ou) tant que l’énergie est fournie. A l’intérieur d’une puce DRAM, la demande sur les cellules mémoire de la personne doit être renouvelée occasionnellement pour pouvoir conserver les informations. Parce qu’elle a moins d’éléments, la DRAM exige beaucoup moins de région de nick que la SRAM; par conséquent, une puce DRAM peut contenir beaucoup plus de souvenirs, bien que son temps d’accès soit plus lent. Cette loi a permis aux ordinateurs de devenir toujours plus puissants, jusqu’à présent, où nous apprécions pleinement la capacité des ordinateurs dans notre travail, comme l’optimisation des moteurs de recherche, la programmation et la conception Web.